CAS 号: 12040-02-7

MDL No.: MFCD00049543

产品编号: T836045

分子式: SnTe

分子量: 246.29

纯度: 99.999% trace metals basis

CAS 号: 12025-39-7

MDL No.: MFCD00135541

产品编号: SD-G860761

分子式: GeTe

分子量: 200.19

纯度: 99.999+% metals basis; 采用熔融复合法制备，具有半金属导电性和铁电特性。应用方向：镀膜材料和溅射靶材;热电制冷材料，用作红外光发射和检测材料，非易失性光学数据存储，如CD、DVD和蓝光，并可能取代动态和闪存随机存取存储器。掺杂碲化锗是一种低温超导体。

CAS 号: 1315-11-3

MDL No.: MFCD00043079

产品编号: SD-Z820712

分子式: ZnTe

分子量: 192.99

纯度: 99.99% metals basis; 半透明宝石红色，六方晶体，p型半导体材料, 直接带隙为 2.26 eV。应用方向：蓝色LED、激光二极管、太阳能电池和微波发生器组件、太阳能电池，例如，作为CdTe/ZnTe结构的背面磁场层和p型半导体材料[6]或PIN二极管结构。也常用于太赫兹辐射探测器，将碲化锌晶体置于太赫兹辐射下会导致其表现出光学双折射并改变透射光的偏振，使其成为电光探测器。

CAS 号: 1314-91-6

MDL No.: MFCD00016274

产品编号: SD-L812416

分子式: PbTe

分子量: 334.8

纯度: 99.99% metals basis。PbTe是重要的中间热电材料。PbTe 热电发电机已被美国陆军广泛用于太空， 提供船上电源和起搏器电池。也用作红外红外探测与成像，温差电致冷的材料。

CAS 号: 12044-54-1

MDL No.: MFCD00014167

产品编号: A860760

分子式: As₂Te₃

分子量: 532.64

纯度: 99.99% metals basis

CAS 号: 12068-90-5

MDL No.: MFCD00016133

产品编号: M860763

分子式: HgTe

分子量: 328.19

纯度: 99.99% metals basis

CAS 号: 13494-80-9

MDL No.: MFCD00134062

产品编号: SD-T836992

分子式: Te

分子量: 127.6

纯度: 99.99999+% (metals basis)；碲是一种半金属，性脆、有光泽的银白色晶体。六方晶格， 晶格常数 （Å）为： 4.450 ； 晶格C/A比率：1.330； 碲有 33 种同位素，其半衰期已知，质量数为 106 至 138。天然存在的碲是八种同位素的混合物。原子半径 （pm）： 160 ； 原子体积（cc/mol）：20.5； 共价半径 （pm）： 136 ； 离子作用范围： 56 （+6e） 211 （-2e）；碲主要以氧化态 IV 和 VI 存在。 碲是一种半导体材料,带宽 0.35eV。

CAS 号: 1344-28-1

MDL No.: MFCD00003424

产品编号: A871961

分子式: Al₂O₃

分子量: 101.96

纯度: 300-400目

CAS 号: 1344-28-1

MDL No.: MFCD00003424

产品编号: SD-A871960

分子式: Al₂O₃

分子量: 101.96

纯度: ≥ 99.9% 微米级 | 纳米级 比表面积(m2/g)： 180-220

CAS 号: 12607-70-4

MDL No.: MFCD00016262

产品编号: N814610

分子式: NiCO₃·₂NiO₂H₂·₄H₂O

分子量: 376.18

纯度: CP

CAS 号: 5970-47-8

MDL No.:

产品编号: Z860087

分子式: C₂H₆O₁₂Zn₅

分子量: 548.96

纯度: ≥57%

CAS 号: 57219-64-4

MDL No.: MFCD00054113

产品编号: Z820779

分子式: CH₂O₇Zr₂

分子量: 308.47

纯度: ≥40% ZrO2 basis