Germanium(II) telluride | GeTe - 无机金属

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Germanium(II) telluride | GeTe

碲化锗

产品编号: SD-G860761 CAS 号: 12025-39-7 纯度: 99.999+% metals basis; 采用熔融复合法制备，具有半金属导电性和铁电特性。应用方向：镀膜材料和溅射靶材;热电制冷材料，用作红外光发射和检测材料，非易失性光学数据存储，如CD、DVD和蓝光，并可能取代动态和闪存随机存取存储器。掺杂碲化锗是一种低温超导体。

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货号	价格 (￥)	库存	总额
G860761-1g	￥ 320	存货	￥ 0.00
G860761-5g	￥ 1260	存货	￥ 0.00
G860761-25g	￥ 3800	存货	￥ 0.00
G860761-100g	￥ 0	询问	￥ 0.00

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技术参数相关产品

别名:	碲化锗晶体是元素周期表WTH族元素化合物半导体。离子晶体。三角系统面中心结构，它是一种直接带隙半导体，室温禁止带宽为0.23eV。它是一种窄带隙半导体，空穴迁移率为7x10-3mZilv“S）}度，非晶态和结晶态之间的高电阻率对比度以及反复反转跃迁的能力使其成为射频开关的良好候选者。射频需要在基板表面沉积一层薄薄的GeTe薄膜。
MDL No.:	MFCD00135541
分子式:	GeTe
分子量:	200.19
熔点:	725°C
贮存:	潮湿的团聚会影响GeTe粉末的分散性能和使用效果，因此，碲化锗GeTe粉应密封在真空包装中，并储存在阴凉干燥的室内，碲化锗不能暴露在空气中。此外，应避免在压力下使用GeTe粉末。