Indium oxide Nnaoparticles | In<sub>2</sub>O<sub>3</sub> - 无机金属

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Indium oxide Nnaoparticles | In₂O₃

纳米氧化铟 | 氧化铟纳米颗粒 | 三氧化二铟 | APS: 30nm，50nm，100nm

产品编号: SD-I874875 CAS 号: 1312-43-2 纯度: 99.995+% metals basis;氧化铟是一种重要的N型透明半导体功能材料。间隙宽度宽，电阻率小，催化活性高。当氧化铟颗粒达到纳米级时，还具有表面效应、量子尺寸效应、小尺寸效应和宏观量子隧穿效应。【研究与应用方向】：光学镀膜材料，ITO靶标，半导体晶体培育，化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）等沉积工艺；臭氧和二氧化氮的气体感器; 紫外激光器和检测器; 太阳能设备的热镜，电场致发光显示器，光电转换器，低辐射率窗口; 光限幅器，电光调制器，透明导电电极。

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货号	价格 (￥)	库存	总额
50nm-10g	￥ 450	存货	￥ 0.00
100nm-10g	￥ 430	存货	￥ 0.00
30nm-10g	￥ 460	询问	￥ 0.00
50nm-50g	￥ 1200	存货	￥ 0.00
30nm-50g	￥ 1280	询问	￥ 0.00
100nm-50g	￥ 1160	存货	￥ 0.00
50nm-250g	￥ 4500	存货	￥ 0.00

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技术参数相关产品

别名:	氧化铟（亦称三氧化二铟，In2O3）黄色粉末，不溶于水、溶于己烷和甲苯，与酸不相容。加热时转变为红褐色。在氢气或其他还原剂存在下，加热至400～500℃可还原成金属铟或低价铟的氧化物。在高温下可与金属铟发生反应，三氧化二铟在赤热状态下用氢气还原时，则生成金属铟。氧化铟是一种N型半导体（电子型半导体），因而可被用作集成电路的电阻元件。它还可以和p-InP、n-GaAs、n-Si及其他半导体形成异质结。
MDL No.:	MFCD00011060
分子式:	In₂O₃
分子量:	277.63
熔点:	2000°C
贮存:	室温，干燥，远离热源。