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Gallium oxide Nanoparticle | Ga2O3

氧化镓 | 纳米氧化镓 | 三氧化二镓 | | Purity: 99.99% metals basis; APS(D50): 40nm、 50nm、100nm

产品编号: SD-G823717 CAS 号: 12024-21-4 纯度: 99.99% metals basis;白色粉末,棒状晶体,晶形以β相为主,宽禁带半导体,Eg=4.9eV。应用方向: Ga基半导体绝缘层材料,紫外线滤光片,燃料电池的固体氧化物阴极、压电晶体、GGG晶体(钆镓石榴石),IGZO材料的溅射靶材。

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G823717-原料 0 询问
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G823717-50nm-100g 2200 询问
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G823717-100nm-100g 2160 存货
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技术参数 相关产品
别名: 三氧化二镓Ga 2 O 3 是金属镓的氧化物,同时也是一种半导体化合物。其结晶形态截至目前已确认有α、β、γ、δ、ε五种,其中,β结构最稳定。其禁带宽度大于硅,氮化镓和碳化硅,在高功率应用领域的应用优势愈加明显。但氧化镓不会取代SiC和GaN,后两者是硅之后的下一代主要半导体材料。氧化Chemicalbook镓更有可能在扩展超宽禁带系统可用的功率和电压范围方面发挥作用。而最有希望的应用可能是电力调节和配电系统中的高压整流器,如电动汽车和光伏太阳能系统。
MDL No.: MFCD00011020
分子式: Ga2O3
分子量: 187.44
熔点: 1740 °C
贮存: 室温,惰气塑料袋包装,密封保存于干燥、阴凉的环境中,不宜暴露空气中,防受潮发生氧化团聚,影响分散性能和使用效果

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