氮化镓 | 高纯氮化镓 | GaN - 常用分析试剂

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氮化镓 | 高纯氮化镓 | GaN

Gallium Nitride Powder

产品编号: SD-G810665 CAS 号: 25617-97-4 纯度: >99.9999%; TRACE METAL ANALYSIS: <900ppm; 黄色粉末;氮化镓具有较宽的直接带隙、强的原子键、高导热性、良好的化学稳定性（几乎无酸腐蚀）等性能和较强的抗辐射能力，在光电子、高温、高功率器件和高频微波器件应用中具有广阔的前景。是当前全球半导体材料研究与应用的前沿和热点，特别是基于GaN技术的主动电子扫描阵列、汽车无人驾驶系统、60GHz频段的Wi-Fi技术、无线通信基站、光电子器件的新型半导体材料开发。

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货号	价格 (￥)	库存	总额
G810665-1g	￥ 620	存货	￥ 0.00
G810665-5g	￥ 1800	存货	￥ 0.00
G810665-10g	￥ 3200	存货	￥ 0.00
G810665-25g	￥ 5900	存货	￥ 0.00

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技术参数相关产品

别名:	氮化镓. 随着5G时代的到来,第三代通信基站已经开始采用氮化镓GaN器件来替代硅Si的LDMOS器件。硅Si的LDMOS器件物理特性上已经到达了极限，这是氮化镓GaN器件进入民品市场的原因。随着爆炸式增长的数据流量，通信基站越来越需要更高峰值功率、更宽带宽以及更高频率的器件，这就使得氮化镓GaN器件应用于通信基站成为必然。
MDL No.:	MFCD00016108
分子式:	GaN
分子量:	83.73
熔点:	800 °C(lit.)
贮存:	密封，避光，室温下保持干燥。